泰格激光設(shè)備——局部淬火激光熱處理設(shè)備

這其中釋放了異形切割的工藝要求，目前，只有激光設(shè)備才可以做到基于LTPS技術(shù)的中小尺寸柔性O(shè)LED面板在色i域、對(duì)比度、節(jié)能、可彎曲等特性上超過(guò)LCD面板。而柔性O(shè)LED面板的放量是全i面屏的助推劑，異形切割是全i面屏得以在當(dāng)前智能手機(jī)外觀基礎(chǔ)上兼容前置攝像頭、受話器、傳感器等功能器件的優(yōu)解決方案，進(jìn)而推動(dòng)小功率激光設(shè)備的發(fā)展。 局部淬火激光熱處理設(shè)備

泰格激光設(shè)備——局部淬火激光熱處理設(shè)備

光纖激光器正在逐步實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代

千瓦級(jí)高功率光纖激光器突破促生繁榮市場(chǎng) 局部淬火激光熱處理設(shè)備

光纖激光器從零到百瓦功率發(fā)展了近四十年。早在1961年，美國(guó)科學(xué)家Snitzer提出在激光腔內(nèi)使用稀土摻雜光纖可以得到穩(wěn)定的單模激光輸出，但受限于光纖制作和抽運(yùn)光源，未能得到快速發(fā)展。

20世紀(jì)70到80年代是半導(dǎo)體激光器和光纖拉制工藝快速發(fā)展的二十年，由于抽運(yùn)光很難高i效耦合到直徑幾微米的纖芯，光纖激光器在很長(zhǎng)時(shí)間只能產(chǎn)生mW級(jí)的激光輸出。局部淬火激光熱處理設(shè)備

1988年雙包層光纖的出現(xiàn)使得光纖激光器輸出功率實(shí)現(xiàn)了由mW級(jí)到W級(jí)的提升。

20世紀(jì)90年代隨著大模場(chǎng)光纖技術(shù)的研制實(shí)現(xiàn)100W單模連續(xù)激光輸出。

2004年，南安普敦大學(xué)的Jeong等世界上首i次實(shí)現(xiàn)了千瓦級(jí)光纖激光輸出。局部淬火激光熱處理設(shè)備

千瓦級(jí)光纖激光器的出現(xiàn)使得高功率光纖激光真正走向了應(yīng)用市場(chǎng)，各研究單位、創(chuàng)業(yè)公司如雨后春筍般出現(xiàn)，呈現(xiàn)出欣欣向榮的景象。

2012年，IPG曾報(bào)道了20kW的單模和100kW的多模光纖激光器，這也是目前光纖激光激光器的大功率。局部淬火激光熱處理設(shè)備

泰格激光設(shè)備——局部淬火激光熱處理設(shè)備

 紫外激光陶瓷切割，上個(gè)世紀(jì)電子陶瓷應(yīng)用逐漸成熟，應(yīng)用范圍更廣，例如散熱基板、壓電材料、電阻、半導(dǎo)體應(yīng)用、生物應(yīng)用等，除了傳統(tǒng)的陶瓷加工工藝外，陶瓷加工也因應(yīng)用種類的增加，進(jìn)而進(jìn)入了激光加工領(lǐng)域。按照陶瓷的材料種類可分為功能陶瓷、結(jié)構(gòu)陶瓷及生物陶瓷?？捎糜诩庸ぬ沾傻募す庥蠧O2激光、YAG激光、綠光激光等，但是隨著元器件逐漸小型化，紫外激光加工成為必要的加工方式，可對(duì)多類陶瓷進(jìn)行加工。 局部淬火激光熱處理設(shè)備